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洁净室中的气压规定

文章来源:http://www.iwuchen.com/  2018年05月22日  点击数:1236

   对于大部分洁净空间,为了防止外界污染侵入,需要保持内部的压力(静压)高于外部的压力(静压)。压力差的维持一般应符合以下原则:

   1.洁净空间的压力要高于非洁净空间的压力。

   2.洁净度级别高的空间的压力要高于相邻的洁净度级别低的空间的压力。

   3.相通洁净室之间的门要开向洁净度级别高的房间。

   压力差的维持依靠新风量,这个新风量要能补偿在这一压力差下从缝隙漏泄掉的风量。所以压力差的物理意义就是漏泄(或渗透)风量通过洁净室的各种缝隙时的阻力。

   各级洁净室之间应保持的压力差如表1一13所列

   对于一部分生物学洁净室,为了防止危险的微生物从操作或研究对象散发到控制空间以外而造成污染,需要保持内部的压力低于外部的压力,一股根据生物学的危险度级别来确定负压的程度,将在以后谈到。


  洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定,但在满足工艺要求的条件下,应考虑到人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高,出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势,这从下面对比可以看出。


 


具体工艺对温度的要求以后还要列举,但作为总的原则看,由于加工精度越来越精细,所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中,作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。直径100 um的硅片,温度上升1度,就引起了0.24um线性膨胀,所以必须有±0.1度的恒温,同时要求湿度值一般较低,因为人出汗以后,对产品将有污染,特别是怕钠的半导体车间,这种车间不宜超过25度。

   湿度过高产生的问题更多。相对湿度超过55%时,冷却水管壁上会结露,如果发生在精密装置或电路中,就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外,湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面耐难以清除。相对湿度越高,粘附的难去掉,但当相对湿度低于30%时,又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面,同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产最佳温度范围为35—45%。

   人体舒适感一般与下列因素有关:空气温度湿度,吹过人体的空气速度,所在空间内各种表面温度,人的活动强度,生活习惯,衣着情况,年龄性别等。

   上述几种不同因素的组合可以给人以相同的冷热感觉即舒适感。在浩净室中由于工作人员都穿洁净工作服,有时还穿两套这样的工作服,而洁净工作服一股是用尼龙、的确良等制做,透气性较差,所以洁净定中感到较舒适的温湿度比一般环境的较低。所以(空气洁净技术措施》建议除工艺要求外,洁净室温度宜采用18—26度,相对温度则宜用40—60%,夏季取上限,冬季取下限。


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